如今使用介質陶瓷容器，以確保高介電常數(shù)和良好溫度特性的介質陶瓷，可以被認為是晶粒和其中形成芯，作為鐵電材料的一部分的組成環(huán)境，正常介電物質的一部分共存的核、殼結構是有效的，為了形成核、殼結構的正常介電物質的一部分，在添加的常規(guī)核、殼結構中，Mg擴散相對較深，因為Mg分布沒有特別控制。

因此不能獲得具有足夠高的介電常數(shù)、并具有良好溫度特性的介質陶瓷，換句話說，隨著多層介質陶瓷電容器的電容增加，介電層前進到薄層，并且所需的質量水平非常高，然而傳統(tǒng)的介質陶瓷，不能充分改善多層介質陶瓷電容器的質量。

由于目前提供一種介質陶瓷，它具有足夠高的介電常數(shù)、并具有良好的溫度特性，在Mg的情況下，當分布層的深度，即擴散層的厚度小于5％時，介質陶瓷的介電材料部分與晶粒直徑充分相反，并形成室溫下的恒定電介質和低至、的低溫特性，另一方面鐵電物質的部分變得太小，并且高溫下的溫度特性劣化，并且由于Mg和晶粒的量小，所獲得的效果抑制了鎂的晶粒生長，難以降低結構的均勻性和核顆粒的尺寸。

當Mg的分布層包含在距晶界的一定范圍內時，Mg適當?shù)卮嬖谟诰Я：途ЯＶg，并且可以獲得合適的一個，晶體被Mg抑制，晶粒生長的效果是實現(xiàn)核心結構的均勻性和粒子的尺寸，此外，如果在本產品中規(guī)定Mg分布的深度，則燒結容量為介電常數(shù)高，溫度特性良好，因此本產品改善了超大容量疊層介質陶瓷電容器的質量。